InAs/AlGaSb heterostructure displacement sensors

H. Yamaguchi, S. Miyashita, Y. Hirayama

研究成果: Conference article査読

抄録

We have successfully fabricated a novel self-sensing mechanical displacement sensor with a surface InAs conductive layer of nanometer-scale thickness based on MBE-grown InAs/AlGaSb heterostructures. Sub-angstrom cantilever displacement is detectable and the sensitivity is increased with decreasing thickness. Tapping mode AFM characterization clarified the spatially resolved frequency response of this device, showing the lowest mode resonance frequency of about 300kHz.

本文言語English
ページ(範囲)247-250
ページ数4
ジャーナルInstitute of Physics Conference Series
174
出版ステータスPublished - 2003 12月 1
外部発表はい
イベントCompound Semiconductors 2002 - Proceedings of the Twenty-Ninth International Symposium on Compound Semiconductors - Lausanne, Switzerland
継続期間: 2002 10月 72002 10月 10

ASJC Scopus subject areas

  • 物理学および天文学(全般)

フィンガープリント

「InAs/AlGaSb heterostructure displacement sensors」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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