In situ monitoring of semiconductor processes using synchrotron radiation [growth and cleaning]

研究成果: Conference contribution

抄録

In this review paper, discussion is focused on the in-situ monitoring of gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) and photon-induced hydrogen removal on Si surfaces using synchrotron radiation photoelectron spectroscopy.

本文言語English
ホスト出版物のタイトル1999 International Microprocesses and Nanotechnology Conference
出版社Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ページ170-171
ページ数2
ISBN(電子版)4930813972, 9784930813978
DOI
出版ステータスPublished - 1999 1 1
イベント1999 International Microprocesses and Nanotechnology Conference - Yokohama, Japan
継続期間: 1999 7 61999 7 8

出版物シリーズ

名前1999 International Microprocesses and Nanotechnology Conference

Other

Other1999 International Microprocesses and Nanotechnology Conference
国/地域Japan
CityYokohama
Period99/7/699/7/8

ASJC Scopus subject areas

  • 電子工学および電気工学
  • 電子材料、光学材料、および磁性材料

フィンガープリント

「In situ monitoring of semiconductor processes using synchrotron radiation [growth and cleaning]」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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