In situ HREM of interface reactions

Robert Sinclair, Toyohiko J. Konno

研究成果: Conference article

抄録

In this paper, in-situ high-resolution electron microscopy (HREM) have been applied to the study of interface reactions, particularly in metal-semiconductor systems. There in contrasting behavior whether or not the manufactured interface undergoes a chemical reaction. The in situ technique allows the determination of the reaction mechanisms on an atomic scale.

本文言語English
ページ(範囲)830-831
ページ数2
ジャーナルProceedings - Annual Meeting, Microscopy Society of America
出版ステータスPublished - 1993 12 1
外部発表はい
イベントProceedings of the 51st Annual Meeting Microscopy Society of America - Cincinnati, OH, USA
継続期間: 1993 8 11993 8 6

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フィンガープリント 「In situ HREM of interface reactions」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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