Impact of two-step-recessed gate structure on RF performance of InP-based HEMTs

Tetsuya Suemitsu, T. Enoki, H. Yokoyama, Y. Umeda, Y. Ishii

研究成果: Article査読

14 被引用数 (Scopus)

フィンガープリント

「Impact of two-step-recessed gate structure on RF performance of InP-based HEMTs」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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