Hybrid LPE/MBE-grown InGaAsP/InP DFB lasers

H. Asahi, Y. Kawamura, Y. Noguchi, T. Matsuoka, H. Nagai

研究成果: Article査読

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抄録

InGaAsP InP distributed-feedback (DFB) lasers operating at 1.5 μm have been successfully fabricated by a hybrid growth technique of liquid phase epitaxy (LPE) and molecular beam epitaxy (MBE). A threshold current of 180 mA at 23°C and single-longitudinal-mode operation have been obtained.

本文言語English
ページ(範囲)507-509
ページ数3
ジャーナルElectronics Letters
19
14
DOI
出版ステータスPublished - 1983 7月 7
外部発表はい

ASJC Scopus subject areas

  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Hybrid LPE/MBE-grown InGaAsP/InP DFB lasers」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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