High-speed voltage-control spintronics memory (High-Speed VoCSM)

H. Yoda, H. Sugiyama, T. Inokuchi, Y. Kato, Y. Ohsawa, K. Abe, N. Shimomura, Y. Saito, S. Shirotori, K. Koi, B. Altansargai, S. Oikawa, M. Shimizu, M. Ishikawa, K. Ikegami, Y. Kamiguchi, S. Fujita, A. Kurobe

研究成果: Conference contribution

9 被引用数 (Scopus)

抄録

We propose a new spintronics-based memory architecture with 2 MTJs and 4 transistors as a unit cell for high-speed application. The architecture employs spin-Hall effect as a writing principle and voltage-control-magneticanisotropy (VCMA) effect as a write speed acceleration. We successfully demonstrated the unique complementary flashwriting scheme and proved a potential of ultrahigh speed writing with the prototype unit-cell and the test-element.

本文言語English
ホスト出版物のタイトル2017 IEEE 9th International Memory Workshop, IMW 2017
出版社Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ISBN(電子版)9781509032723
DOI
出版ステータスPublished - 2017 6月 5
外部発表はい
イベント9th IEEE International Memory Workshop, IMW 2017 - Monterey, United States
継続期間: 2017 5月 142017 5月 17

出版物シリーズ

名前2017 IEEE 9th International Memory Workshop, IMW 2017

Other

Other9th IEEE International Memory Workshop, IMW 2017
国/地域United States
CityMonterey
Period17/5/1417/5/17

ASJC Scopus subject areas

  • ハードウェアとアーキテクチャ
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「High-speed voltage-control spintronics memory (High-Speed VoCSM)」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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