High-speed operation of static binary frequency divider using resonant tunnelling diodes and HEMTs

H. Matsuzaki, K. Arai, K. Maezawa, J. Osaka, M. Yamamoto, T. Otsuji

研究成果: Article査読

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抄録

A new circuit technology using resonant tunnelling diodes and HEMTs makes the toggle frequency ftoggle of a static binary frequency divider close to the cutoff frequency ft of the used 0.7 μm-gate HEMTs. ftoggle and ft are 34 and 38GHz, respectively. This technology is promising for use in high-speed logic circuits.

本文言語English
ページ(範囲)70-71
ページ数2
ジャーナルElectronics Letters
34
1
DOI
出版ステータスPublished - 1998 1 8
外部発表はい

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  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「High-speed operation of static binary frequency divider using resonant tunnelling diodes and HEMTs」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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