High-speed deposition of yttria stabilized zirconia by MOCVD

Rong Tu, Teiichi Kimura, Takashi Goto

研究成果: Article査読

22 被引用数 (Scopus)

抄録

Metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) was applied to prepare yttria stabilized zirconia (YSZ) films using Zr(dpm)4 and Y(dpm)3 precursors. The crystal structure of YSZ films changed with increasing Y2O3 content from a mixture of monoclinic and tetragonal phases (0-2 mol% Y2O3) to a tetragonal phase (2-8 mol% Y2O3) to a cubic phase (above 8 mol% Y2O3). YSZ films with a well-developed columnar structure and a significant (200) orientation were obtained at Tdep =923 to 1073 K. The deposition rate showed the highest value of 108 μm h-1 at Tdep=1073 K, total pressure Ptot=0.8 kPa, molar fraction of Zr precursor x Zr=0.018 and that of oxygen gas xO2=0.25.

本文言語English
ページ(範囲)238-244
ページ数7
ジャーナルSurface and Coatings Technology
187
2-3
DOI
出版ステータスPublished - 2004 10 22

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  • 化学 (全般)
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「High-speed deposition of yttria stabilized zirconia by MOCVD」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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