HIGH RESOLUTION DOUBLE LAYER RESIST SYSTEM USING NEW SILICONE BASED NEGATIVE RESIST (SNR).

Masao Morita, Akinobu Tanaka, Saburo Imamura, Toshiaki Tamamura, Osamu Kogure

研究成果: Article査読

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抄録

The authors propose a new silicone based negative resist (SNR) for a high resolution double layer resist system. SNR shows high sensitivity to an e-beam, D//0//. //5 equals 5 mu mC/cm**2, with high contrast gamma equals 2, and excellent resistance to reactive ion etching under oxygen gas. A submicron pattern with a high aspect ratio can be easily fabricated with the SNR/AZ double layer resist system. It is also shown that submicron lithography can be accomplished on a substrate with topographic features.

本文言語English
ページ(範囲)659-660
ページ数2
ジャーナルJapanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters
22
10
出版ステータスPublished - 1983 1月 1
外部発表はい

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「HIGH RESOLUTION DOUBLE LAYER RESIST SYSTEM USING NEW SILICONE BASED NEGATIVE RESIST (SNR).」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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