High Reliability of Nanometer-Range N2O-Nitrided Oxides Due to Suppressing Hole Injection

K. Kobayashi, A. Teramoto, T. Nakamura, H. Watanabe, H. Kurokawa, Y. Matsui, M. Hirayama

研究成果: Conference article査読

9 被引用数 (Scopus)

抄録

Hole transport and trapping in N2O-nitrided oxides have been studied. It is shown that N2O-nitridation of oxides suppresses hole injection into the oxides. The suppression of hole injection is a mechanism leading to the enhancement of reliability of the nitrided oxides under channel hot-hole and F-N stresses.

本文言語English
ページ(範囲)335-338
ページ数4
ジャーナルTechnical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM
DOI
出版ステータスPublished - 1996
外部発表はい
イベントProceedings of the 1996 IEEE International Electron Devices Meeting - San Francisco, CA, USA
継続期間: 1996 12月 81996 12月 11

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学
  • 材料化学

フィンガープリント

「High Reliability of Nanometer-Range N2O-Nitrided Oxides Due to Suppressing Hole Injection」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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