High-power SLM operation of 1·3 μm InP/InGaAsP DFB LD with doubly buried heterostructure on p-type InP substrate

Y. Suzuki, H. Nagai, Y. Noguchi, T. Matsuoka, K. Kurumada

研究成果: Article査読

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抄録

A newly developed buried heterostructure on p-type InP substrate was successfully applied to the fabrication of a 1.3 μm DFB laser diode (LD). Stable CW SLM operation up to 31 mW at 30°C for an LD structure with two as-cleaved facets, and 53 mW at 25°C utilising AR coating, have been achieved.

本文言語English
ページ(範囲)881-882
ページ数2
ジャーナルElectronics Letters
20
21
DOI
出版ステータスPublished - 1984 10月 11
外部発表はい

ASJC Scopus subject areas

  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「High-power SLM operation of 1·3 μm InP/InGaAsP DFB LD with doubly buried heterostructure on p-type InP substrate」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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