High-performance pMOSFETs with high Ge fraction strained SiGe-heterostructure channel and ultrashallow source/drain formed by selective B-doped SiGe CVD

Shinobu Takehiro, Masao Sakuraba, Junichi Murota, Toshiaki Tsuchiya

研究成果: Article査読

1 被引用数 (Scopus)

フィンガープリント

「High-performance pMOSFETs with high Ge fraction strained SiGe-heterostructure channel and ultrashallow source/drain formed by selective B-doped SiGe CVD」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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