High hole mobility exceeding 4 cm2/Vs in top-gate C 8-BTBT field-effect transistors processed by spin coating

Fumio Mochizuki, Toshiyuki Endo, Takashi Nagase, Takashi Kobayashi, Kazuo Takimiya, Masaaki Ikeda, Hiroyoshi Naito

研究成果: Conference contribution

抄録

We have fabricated 2,7-dioctyl[1]benzothieno [3,2-b][1]benzothiophene (C8-BTBT)-based organic field-effect transistors (OFETs) with top-gate configurations having fluoropolymer gate insulators by spin-coating processes. Top-gate OFETs with spin-coated polycrystalline C8-BTBT films exhibit high maximum field-effect mobility of 4.1 cm2/Vs and low average threshold voltage of -7.0 V.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルSociety for Information Display - 18th International Display Workshops 2011, IDW'11
ページ85-88
ページ数4
1
出版ステータスPublished - 2011 12月 1
外部発表はい
イベント18th International Display Workshops 2011, IDW 2011 - Nagoya, Japan
継続期間: 2011 12月 72011 12月 9

Other

Other18th International Display Workshops 2011, IDW 2011
国/地域Japan
CityNagoya
Period11/12/711/12/9

ASJC Scopus subject areas

  • コンピュータ ビジョンおよびパターン認識
  • 人間とコンピュータの相互作用
  • 電子工学および電気工学
  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 放射線学、核医学およびイメージング

フィンガープリント

「High hole mobility exceeding 4 cm2/Vs in top-gate C 8-BTBT field-effect transistors processed by spin coating」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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