High-frequency characterization of intrinsic FinFET channel

H. Sakai, S. O'Uchi, T. Matsukawa, K. Endo, Y. X. Liu, T. Tsukada, Y. Ishikawa, T. Nakagawa, T. Sekigawa, H. Koike, K. Sakamoto, M. Masahara, H. Ishikuro

研究成果: Conference contribution

2 被引用数 (Scopus)
本文言語English
ホスト出版物のタイトル2010 IEEE International SOI Conference, SOI 2010
DOI
出版ステータスPublished - 2010 12 30
外部発表はい
イベント2010 IEEE International Silicon on Insulator Conference, SOI 2010 - San Diego, CA, United States
継続期間: 2010 10 112010 10 14

出版物シリーズ

名前Proceedings - IEEE International SOI Conference
ISSN(印刷版)1078-621X

Other

Other2010 IEEE International Silicon on Insulator Conference, SOI 2010
国/地域United States
CitySan Diego, CA
Period10/10/1110/10/14

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 電子工学および電気工学

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