Growth of single-phase Cu(In,Al)Se2 photoabsorbing films by selenization using diethylselenide

M. Sugiyama, A. Umezawa, T. Yasuniwa, A. Miyama, H. Nakanishi, S. F. Chichibu

研究成果: Article査読

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抄録

Selenization growth of purely single-phase, polycrystalline CuIn1 - xAlxSe2 (0 ≤ x ≤ 0.26) alloy films was demonstrated using a less-hazardous metal-organic selenide, diethylselenide [(C2H5)2Se: DESe], by simple thermal annealing of metal precursor. Approximately 2.0 μm thick alloy films exhibited X-ray diffraction peaks originating exclusively from the chalcopyrite structure. Transitions seen in the low temperature photoluminescence spectra were attributed to characteristic donor-acceptor pair emissions of the state-of-the-art CuIn1 - xAlxSe2 photoabsorbing layers.

本文言語English
ページ(範囲)2175-2177
ページ数3
ジャーナルThin Solid Films
517
7
DOI
出版ステータスPublished - 2009 2 2

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 表面および界面
  • 表面、皮膜および薄膜
  • 金属および合金
  • 材料化学

フィンガープリント

「Growth of single-phase Cu(In,Al)Se<sub>2</sub> photoabsorbing films by selenization using diethylselenide」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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