Growth of aluminum on Si using dimethyl-ethyl amine alane

Yoichiro Neo, Michio Niwano, Hidenori Mimura, Kuniyoshi Yokoo

研究成果: Conference article査読

11 被引用数 (Scopus)

抄録

The paper describes growth of aluminum on a hydrogen terminated Si (100) surface using dimethyl-ethyl amine alane. The growth rate depends on the substrate temperature with an activation energy of 0.56 eV at the temperature ranging from 150 to 250°C. Selective growth of Al into 1.5-μm diameter via-holes is successfully demonstrated at the substrate temperature of 150°C. In situ FTIR measurements suggest that growth of Al occurs by the chemical reaction between AlH3 and a hydrogen terminated Si surface.

本文言語English
ページ(範囲)443-446
ページ数4
ジャーナルApplied Surface Science
142
1
DOI
出版ステータスPublished - 1999 4月
外部発表はい
イベントProceedings of the 1998 9th International Conference on Solid Films and Surfaces, ICSFS-9 - Copenhagen, Denmark
継続期間: 1998 7月 61998 7月 10

ASJC Scopus subject areas

  • 化学 (全般)
  • 凝縮系物理学
  • 物理学および天文学(全般)
  • 表面および界面
  • 表面、皮膜および薄膜

フィンガープリント

「Growth of aluminum on Si using dimethyl-ethyl amine alane」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル