Growth and properties of (Ga, Mn) As: A new III-V diluted magnetic semiconductor

F. Matsukura, A. Oiwa, A. Shen, Y. Sugawara, N. Akiba, T. Kuroiwa, H. Ohno, A. Endo, S. Katsumoto, Y. Iye

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抄録

A new III-V diluted magnetic semiconductor, (Ga, Mn)As, was prepared by low-temperature molecular beam epitaxy. The lattice constant of (Ga, Mn)As films determined by X-ray diffraction showed a linear increase with increase of Mn composition, suggesting homogeneous incorporation of Mn in the film. Magnetization measurements revealed ferromagnetic order at low temperature, while magnetotransport measurements showed the anomalous Hall effect and negative magnetore-sistance associated with the ferromagnetic order in the (Ga, Mn)As films.

本文言語English
ページ(範囲)178-182
ページ数5
ジャーナルApplied Surface Science
113-114
DOI
出版ステータスPublished - 1997 4月

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フィンガープリント

「Growth and properties of (Ga, Mn) As: A new III-V diluted magnetic semiconductor」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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