Gate length scaling of high-k vertical MOSFET toward 20nm CMOS technology and beyond

Takeshi Sasaki, Tetsuo Endoh

研究成果: Conference contribution

1 被引用数 (Scopus)

フィンガープリント

「Gate length scaling of high-k vertical MOSFET toward 20nm CMOS technology and beyond」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

Engineering & Materials Science