GaInAsP/InP DH laser on semi-insulating InP substrate with terrace structure

T. Matsuoka, Y. Suzuki, Y. Noguchi, H. Nagai

研究成果: Article査読

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抄録

GalnAsP/lnP DH lasers for the 1.3 μm region were fabricated through a single LPE process on semi-insulating InP substrates with a terrace structure. The threshold current of the mounted lasers was typically 65 mA under CW operation at room temperature. Light output of 450 mW per facet was achieved at a pulsed injection current of 4.2 A.

本文言語English
ページ(範囲)359-361
ページ数3
ジャーナルElectronics Letters
18
9
DOI
出版ステータスPublished - 1982 4 29
外部発表はい

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  • Electrical and Electronic Engineering

フィンガープリント 「GaInAsP/InP DH laser on semi-insulating InP substrate with terrace structure」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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