Gain spectra in cw InGaN/GaN MQW laser diodes

T. Deguchi, T. Azuhata, T. Sota, S. Chichibu, S. Nakamura

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抄録

A systematic study on the optical gain of continuous wave InGaN/GaN multiple quantum well laser diode wafers has been achieved by means of the variable excitation-stripe length (VEL) method. It will be demonstrated that mechanisms producing optical gain may vary according to the degree of fluctuation of InGaN composition in the lateral plane.

本文言語English
ページ(範囲)251-255
ページ数5
ジャーナルMaterials Science and Engineering B
50
1-3
DOI
出版ステータスPublished - 1997 12 18
外部発表はい

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フィンガープリント 「Gain spectra in cw InGaN/GaN MQW laser diodes」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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