Formation of thin SiGe virtual substrates by ion implantation into Si substrates

K. Sawano, S. Koh, Y. Hirose, T. Hattori, K. Nakagawa, Y. Shiraki

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抄録

Almost fully relaxed thin SiGe buffer layers are obtained by Ar ion implantation into Si substrates before SiGe molecular beam epitaxy (MBE) growth. The strain relaxation ratio of the 100 nm thick Si 0.65 Ge 0.35 layer grown on ion implanted Si substrate is about 95%, while it is only 60% in the unimplanted case. Surface morphology of the buffer layer on the implanted Si is very different from that of the conventional buffer, suggesting that a new strain relaxation mechanism takes place in the SiGe film grown on the ion implanted Si.

本文言語English
ページ(範囲)99-103
ページ数5
ジャーナルApplied Surface Science
224
1-4
DOI
出版ステータスPublished - 2004 3月 15
外部発表はい

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「Formation of thin SiGe virtual substrates by ion implantation into Si substrates」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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