Force/displacement detection using quantum transport in InAsAlGaSb two-dimensional heterostructures

H. Yamaguchi, Y. Hirayama, S. Miyashita, S. Ishihara

研究成果: Article査読

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抄録

We fabricated a piezoresistive microelectromechanical cantilever that contains an InAs Al0.5 Ga0.5 Sb quantum well and measured the piezoresistance as a function of perpendicular magnetic field at 2.0 K. The magneto- piezoresistance shows the feature of Schvnikov-de Haas oscillation, indicating a strong quantum effect on the piezoresistance. At the magnetic field that gives the largest piezoresistance, displacement and force sensitivities of 10-11 mHz and 10-12 NHz, respectively, were obtained.

本文言語English
論文番号052106
ページ(範囲)1-3
ページ数3
ジャーナルApplied Physics Letters
86
5
DOI
出版ステータスPublished - 2005 1 31
外部発表はい

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  • 物理学および天文学(その他)

フィンガープリント

「Force/displacement detection using quantum transport in InAsAlGaSb two-dimensional heterostructures」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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