Fin-height controlled TiN-gate FinFET CMOS based on experimental mobility

Y. X. Liu, T. Matsukawa, K. Endo, M. Masahrara, S. O'uchi, H. Yamauchi, K. Ishii, J. Tsukada, Y. Ishikawa, K. Sakamoto, E. Suzuki

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抄録

This paper presents the fin-height controlled TiN-gate FinFET CMOS technology based on the experimental carrier mobility data. The good current matching by tuning the N-channel fin-height and the excellent transfer performance in the fabricated TiN-gate CMOS inverter are demonstrated. The developed technologies are attractive to materialize the high-performance FinFET CMOS circuits.

本文言語English
ページ(範囲)2101-2104
ページ数4
ジャーナルMicroelectronic Engineering
84
9-10
DOI
出版ステータスPublished - 2007 9月
外部発表はい

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  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 原子分子物理学および光学
  • 凝縮系物理学
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フィンガープリント

「Fin-height controlled TiN-gate FinFET CMOS based on experimental mobility」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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