Fabrication Process and Device Characteristics of Sidewall Base Contact Structure Transistor Using Two-Step Oxidation of Sidewall Surface

Katsuyoshi Washio, Tohru Nakamura, Tetsuya Hayashida

研究成果: Article査読

2 被引用数 (Scopus)

フィンガープリント

「Fabrication Process and Device Characteristics of Sidewall Base Contact Structure Transistor Using Two-Step Oxidation of Sidewall Surface」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

Engineering & Materials Science

Chemical Compounds