Fabrication of Ti-nanowires in sapphire single crystals

Atsutomo Nakamura, Katsuyuki Matsunaga, Takahisa Yamamoto, Yuichi Ikuhara

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抄録

We report electrical conductivity of Ti-nanowires in sapphire fabricated by utilizing lattice dislocations. We evaporated metallic Ti on a sapphire plate containing high density of uniaxial dislocations, and annealed the plate at high temperatures. As a result, it was found that Ti atoms intensely segregated along the dislocations within about 5 nm in diameter, indicating the formation of Ti-nanowires inside sapphire. Furthermore, the nanowires were confirmed to have significant electrical conductivity even in sapphire insulator.

本文言語English
ページ(範囲)38-42
ページ数5
ジャーナルApplied Surface Science
241
1-2 SPEC. ISS.
DOI
出版ステータスPublished - 2005 2月 28
外部発表はい

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