Fabrication of high temperature capacitively- and resistively-coupled single electron transistors using gold nanoparticles

H. T.T. Tran, K. Matsumoto, M. Moriya, H. Shimada, Yasuo Kimura, A. Hirano-Iwata, Y. Mizugaki

研究成果: Conference contribution

3 被引用数 (Scopus)

抄録

We fabricated single electron transistors (SETs) by using gold nanoparticles as their islands. With a simple method of the fabrication, characteristics of capacitively- and resistively-coupled SETs (C-SETs and R-SETs) were achieved at 77 K and room temperature.

本文言語English
ホスト出版物のタイトル16th International Conference on Nanotechnology - IEEE NANO 2016
出版社Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ページ131-134
ページ数4
ISBN(電子版)9781509039142
DOI
出版ステータスPublished - 2016 11 21
イベント16th IEEE International Conference on Nanotechnology - IEEE NANO 2016 - Sendai, Japan
継続期間: 2016 8 222016 8 25

出版物シリーズ

名前16th International Conference on Nanotechnology - IEEE NANO 2016

Other

Other16th IEEE International Conference on Nanotechnology - IEEE NANO 2016
国/地域Japan
CitySendai
Period16/8/2216/8/25

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 原子分子物理学および光学

フィンガープリント

「Fabrication of high temperature capacitively- and resistively-coupled single electron transistors using gold nanoparticles」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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