Fabrication of a MTJ-based multilevel resistor towards process-variaton-resilient logic LSI

研究成果: Conference contribution

4 被引用数 (Scopus)

抄録

A nonvolatile multilevel resistor cell based on magnetic tunnel junction (MTJ) device is proposed for process-variation-resilient logic LSIs. The proposed cell is designed by the series-parallel connection of several 'unit' MTJ devices, and its resistance value can be changed by using only one write path. Its basic behavior is simulated by using a SPICE simulator with built-in MTJ device model. The measurement result of a fabricated TEG circuit is also demonstrated.

本文言語English
ホスト出版物のタイトル2014 IEEE 12th International New Circuits and Systems Conference, NEWCAS 2014
出版社Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ページ468-471
ページ数4
ISBN(電子版)9781479948857
DOI
出版ステータスPublished - 2014 10 22
イベント2014 12th IEEE International New Circuits and Systems Conference, NEWCAS 2014 - Trois-Rivieres, Canada
継続期間: 2014 6 222014 6 25

出版物シリーズ

名前2014 IEEE 12th International New Circuits and Systems Conference, NEWCAS 2014

Other

Other2014 12th IEEE International New Circuits and Systems Conference, NEWCAS 2014
国/地域Canada
CityTrois-Rivieres
Period14/6/2214/6/25

ASJC Scopus subject areas

  • 電子工学および電気工学
  • 制御およびシステム工学
  • コンピュータ ネットワークおよび通信
  • ソフトウェア

フィンガープリント

「Fabrication of a MTJ-based multilevel resistor towards process-variaton-resilient logic LSI」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル