Excitonic photoluminescence in a CuAlSe2 chalcopyrite semiconductor grown by low-pressure metalorganic chemical-vapor deposition

Shigefusa Chichibu, Satoru Matsumoto, Sho Shirakata, Shigehiro Isomura, Hirofumi Higuchi

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抄録

Excitonic photoluminescence (PL) in a CuAlSe2 chalcopyrite semiconductor was observed. High-quality CuAlSe2 epilayers were grown by the low-pressure metalorganic chemical-vapor deposition technique. Based on photoreflectance measurements, the PL peak at 2.739 eV was assigned to a free exciton emission. The PL peak at 2.677 eV was tentatively assigned to a bound exciton emission.

本文言語English
ページ(範囲)6446-6447
ページ数2
ジャーナルJournal of Applied Physics
74
10
DOI
出版ステータスPublished - 1993
外部発表はい

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  • 物理学および天文学(全般)

フィンガープリント

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