Evidence of the Coulomb gap observed in an InAs inserted In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As heterostructure

Can Ming Hu, Junsaku Nitta, Tatsushi Akazaki, Hideaki Takayanagi

研究成果: Conference article査読

抄録

We report studies of the in-plane magneto-transport properties of a 2DEG in an InAs inserted InGaAs/InAlAs heterostructure with a DC bias voltage. Temperature dependent zero-bias reduction of the longitudinal resistance was observed when high magnetic field is applied along the sample growth direction. We interpret the observed resistance reduction as the result of a Coulomb gap existing at the Fermi level of the 2DEG.

本文言語English
ページ(範囲)795-798
ページ数4
ジャーナルPhysica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures
7
3
DOI
出版ステータスPublished - 2000 5
外部発表はい
イベントMSS9: The 9th International Conference on Modulated Semiconductor Structures - Fukuoka, Jpn
継続期間: 1999 7 121999 7 16

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 原子分子物理学および光学
  • 凝縮系物理学

フィンガープリント

「Evidence of the Coulomb gap observed in an InAs inserted In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As/In<sub>0.52</sub>Al<sub>0.48</sub>As heterostructure」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル