Erratum: Annealing-time dependence in interfacial reaction between poly-Si electrode and HfO2 Si gate stack studied by synchrotron radiation photoemission and x-ray absorption spectroscopy (Applied Physics Letters (2006) 89 (012102))

H. Takahashi, J. Okabayashi, S. Toyoda, H. Kumigashira, M. Oshima, K. Ikeda, G. L. Liu, Z. Liu, K. Usuda

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本文言語English
論文番号169902
ジャーナルApplied Physics Letters
89
16
DOI
出版ステータスPublished - 2006
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  • 物理学および天文学(その他)

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