Enhanced diffusion of boron in silicon by cw CO2 laser irradiation

H. Yamada-Kaneta, K. Tanahashi, K. Kakimoto, S. Suto

研究成果: Article査読

抄録

We investigated the diffusion of boron (B) by the irradiation with cw CO2 laser light. The enhanced diffusion of B was observed by irradiating with the laser light during annealing in Ar/O2 ambient. We found that irradiation with laser light had the effect of enhancement on the growth of the oxide layer. The possible mechanism is that the excess self-interstitials injected by oxidation at the laser-irradiated point enhance the diffusion of B.

本文言語English
ページ(範囲)1683-1686
ページ数4
ジャーナルSurface and Interface Analysis
38
12-13
DOI
出版ステータスPublished - 2006 12月 1

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フィンガープリント

「Enhanced diffusion of boron in silicon by cw CO2 laser irradiation」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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