Enhanced breakdown voltage for all-SiC modules

Motohito Hori, Yuichiro Hinata, Katsumi Taniguchi, Yoshinari Ikeda, Yoshikazu Takahashi

研究成果: Conference contribution

5 被引用数 (Scopus)

抄録

SiC devices are expected to be used in high voltage fields that require a breakdown voltage from 3 to 10kV such as railways, as well as the automotive that require high reliability such as hybrid vehicles and electric vehicles. This paper presents the packaging technologies of enhanced breakdown voltage for All-SiC modules.

本文言語English
ホスト出版物のタイトル2017 IEEE CPMT Symposium Japan, ICSJ 2017
出版社Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ページ127-130
ページ数4
ISBN(電子版)9781538627129
DOI
出版ステータスPublished - 2017 12 26
外部発表はい
イベント2017 IEEE CPMT Symposium Japan, ICSJ 2017 - Kyoto, Japan
継続期間: 2017 11 202017 11 22

出版物シリーズ

名前2017 IEEE CPMT Symposium Japan, ICSJ 2017
2017-January

Other

Other2017 IEEE CPMT Symposium Japan, ICSJ 2017
国/地域Japan
CityKyoto
Period17/11/2017/11/22

ASJC Scopus subject areas

  • 電子工学および電気工学
  • 電子材料、光学材料、および磁性材料

フィンガープリント

「Enhanced breakdown voltage for all-SiC modules」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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