Electron localization in nanoscale MnAs dots on GaAs: A photoemission study

Kanta Ono, Masaki Mizuguchi, Takeshi Uragami, Hiroyuki Akinaga, Hiroshi Fujioka, Masaharu Oshima

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抄録

We have investigated the electronic structure of MnAs dots on GaAs (1 0 0) by photoemission spectroscopy. MnAs dots are grown on the S-passivated GaAs by MBE. The size of the dots is 15 nm. In the valence band photoemission spectra of MnAs dots, the Fermi edge disappears, and there is no spectral intensity at the Fermi level. In the Mn 2p core level spectra of MnAs dots, we have observed a satellite structure which also reflects the 3d electron localization in the MnAs dots.

本文言語English
ページ(範囲)1778-1779
ページ数2
ジャーナルPhysica B: Condensed Matter
284-288
PART II
DOI
出版ステータスPublished - 2000
外部発表はい

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学

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「Electron localization in nanoscale MnAs dots on GaAs: A photoemission study」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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