Electrical resistivity of single crystalline CeRh2Si2 under pressure

M. Ohashi, F. Honda, T. Eto, S. Kaji, I. Minamitake, G. Oomi, S. Koiwai, Y. Uwatoko

研究成果: Conference article査読

5 被引用数 (Scopus)

抄録

The electrical resistivity of single crystalline CeRh2Si2 has been measured in the temperature range from 2.0 to 300K under high pressure up to 2.3GPa. The coefficient of T2 term A(P) and the residual resistivity ρ0(P) have been obtained as a function of pressure. It is found that A(P) shows one maximum and ρ0(P) show two maxima near the pressure where the magnetic ordering phases disappear. The result is discussed on the basis of pressure-induced quantum phase transition.

本文言語English
ページ(範囲)443-444
ページ数2
ジャーナルPhysica B: Condensed Matter
312-313
DOI
出版ステータスPublished - 2002 3月 1
外部発表はい
イベントInternational Conference on Strongly Correlated Electrons - Ann Arbor, MI, United States
継続期間: 2002 8月 62002 8月 6

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Electrical resistivity of single crystalline CeRh2Si2 under pressure」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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