Electrical characteristics of rare earth (La, Ce, Pr and Tm) oxides/silicates gate dielectric

K. Matano, K. Funamizu, M. Kouda, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai

研究成果: Conference contribution

1 被引用数 (Scopus)

抄録

Metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors with rare earth (La, Ce, Pr and Tm) oxides/silicates were fabricated to investigate the effective fixed charges density (Qfix) in the gate dielectrics from the slope of EOT-V fb plots. In the small EOT region, a diffusion of gate metal atoms caused to increase fixed charge at the interface between RE-oxide and RE-silicate. TmOx/ Tm-silicate capacitors exhibit small Q fix of -6.5×1012 cm-2 in the small EOT region.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルChina Semiconductor Technology International Conference 2010, CSTIC 2010
出版社Electrochemical Society Inc.
ページ1129-1134
ページ数6
1
ISBN(電子版)9781607681564
ISBN(印刷版)9781607682639
DOI
出版ステータスPublished - 2010
外部発表はい
イベントChina Semiconductor Technology International Conference 2010, CSTIC 2010 - Shanghai, China
継続期間: 2010 3月 182010 3月 19

出版物シリーズ

名前ECS Transactions
番号1
27
ISSN(印刷版)1938-5862
ISSN(電子版)1938-6737

Other

OtherChina Semiconductor Technology International Conference 2010, CSTIC 2010
国/地域China
CityShanghai
Period10/3/1810/3/19

ASJC Scopus subject areas

  • 工学(全般)

フィンガープリント

「Electrical characteristics of rare earth (La, Ce, Pr and Tm) oxides/silicates gate dielectric」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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