Electric-field modulation of thermopower for the KTaO3 field-effect transistors

Akira Yoshikawa, Kosuke Uchida, Kunihito Koumoto, Takeharu Kato, Yuichi Ikuhara, Hiromichi Ohta

    研究成果: Article査読

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    抄録

    We show herein fabrication and field-modulated thermopower for KTaO 3 single-crystal based field-effect transistors (FETs). The KTaO 3 FET exhibits field-effect mobility of ∼8 cm2 V -1 s-1, which is ∼4 times larger than that of SrTiO3 FETs. The thermopower of the KTaO3 FET decreased from 600 to 220 μVK-1 by the application of gate electric field up to 1.5MVcm-1, ∼400 μVK-1 below that of an SrTiO3 FET, clearly reflecting the smaller carrier effective mass of KTaO3.

    本文言語English
    論文番号1211103
    ジャーナルApplied Physics Express
    2
    12
    DOI
    出版ステータスPublished - 2009 12月 1

    ASJC Scopus subject areas

    • 工学(全般)
    • 物理学および天文学(全般)

    フィンガープリント

    「Electric-field modulation of thermopower for the KTaO3 field-effect transistors」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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