Effects of Mg/Ga and V/III source ratios on hole concentration of N-polar (000-1) p-type GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Ryohei Nonoda, Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka

研究成果: Article

2 被引用数 (Scopus)

フィンガープリント 「Effects of Mg/Ga and V/III source ratios on hole concentration of N-polar (000-1) p-type GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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