Effect of dopant concentration on oxidation-induced stacking faults in boron-doped cz silicon

Shigefusa Chichibu, Tsuyoshi Harada, Satoru Matsumoto

研究成果: Article査読

3 被引用数 (Scopus)

抄録

The length of oxidation-induced stacking faults strongly depends on the boron concentration in extrinsic conditions at the oxidation temperature. This behavior can be interpreted by the generation of silicon self-interstitials by the Fermi level effect attributed to the heavy boron doping.

本文言語English
ページ(範囲)L1543-L1547
ジャーナルJapanese journal of applied physics
27
8 A
DOI
出版ステータスPublished - 1988 8
外部発表はい

ASJC Scopus subject areas

  • 工学(全般)
  • 物理学および天文学(全般)

フィンガープリント

「Effect of dopant concentration on oxidation-induced stacking faults in boron-doped cz silicon」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル