Doping effects on the stability of stacking faults in silicon crystals

Yutaka Ohno, Yuki Tokumoto, Ichiro Yonenaga

研究成果: Article査読

2 被引用数 (Scopus)

抄録

In silicon crystals annealed at 1173 K, n-type dopant atoms segregate nearby a stacking fault ribbon bound by a pair of partial dislocations and the width of the ribbon is increased. The origin of the width increase is the reduction of the stacking fault energy due to an electronic interaction between the ribbon and the dopant atoms segregating at the ribbon, rather than the reduction of the strain energy around the partial dislocations due to the dopant atoms segregating at the partials.

本文言語English
ページ(範囲)3296-3299
ページ数4
ジャーナルThin Solid Films
520
8
DOI
出版ステータスPublished - 2012 2月 1

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  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
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  • 金属および合金
  • 材料化学

フィンガープリント

「Doping effects on the stability of stacking faults in silicon crystals」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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