Dielectric confinement effect for exciton and biexciton states in PbI4-based two-dimensional semiconductor structures

T. Ishihara, X. Hong, J. Ding, A. V. Nurmikko

研究成果: Article査読

108 被引用数 (Scopus)

抄録

We have studied the role of dielectric confinement for enhancing excitonic effects in layered PbI4-based compounds. In particular, we demonstrate that unusually strong biexciton effects are readily observable (binding energy on the order of 50 meV) and that the large excitonic binding (∼ 300 meV) can be modified by chemically adjusting the dielectric constant of the alkylammonium barrier layers.

本文言語English
ページ(範囲)323-326
ページ数4
ジャーナルSurface Science
267
1-3
DOI
出版ステータスPublished - 1992
外部発表はい

ASJC Scopus subject areas

  • 凝縮系物理学
  • 表面および界面
  • 表面、皮膜および薄膜
  • 材料化学

フィンガープリント

「Dielectric confinement effect for exciton and biexciton states in PbI<sub>4</sub>-based two-dimensional semiconductor structures」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル