Design of an 8-nsec 72-bit-parallel-search content-addressable memory using a phase-change device

Satoru Hanzawa, Takahiro Hanyu

研究成果: Article査読

抄録

This paper presents a content-addressable memory (CAM) using a phase-change device. A hierarchical match-line structure and a one-hot-spot block code are indispensable to suppress the resistance ratio of the phase-change device and the area overhead of match detectors. As a result, an 8-nsec 72-bit-parallel-search CAM is implemented using a phase-change-device/MOS-hybrid circuitry, where high and low resistances are higher than 2.3MΩ and lower than 97 kΩ, respectively, while maintaining one-day retention.

本文言語English
ページ(範囲)1302-1310
ページ数9
ジャーナルIEICE Transactions on Electronics
E94-C
8
DOI
出版ステータスPublished - 2011 8月

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Design of an 8-nsec 72-bit-parallel-search content-addressable memory using a phase-change device」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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