Delta-doped epitaxial La: SrTiO3 field-effect transistor

K. Nishio, M. Matvejeff, R. Takahashi, M. Lippmaa, M. Sumiya, H. Yoshikawa, K. Kobayashi, Y. Yamashita

    研究成果: Article査読

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    抄録

    We show that by delta doping a deep depletion layer at a SrTiO 3/CaHfO3 interface with La, it is possible to achieve a separation of physical dopants from the current transport layer in SrTiO 3. This allows us to construct an epitaxial top-gate field-effect transistor that can switch a channel with a physical dopant density of ∼ 1014cm-2 between insulating and metallic states with a finite threshold shift and without carrier mobility degradation at low temperature.

    本文言語English
    論文番号242113
    ジャーナルApplied Physics Letters
    98
    24
    DOI
    出版ステータスPublished - 2011 6 13

    ASJC Scopus subject areas

    • 物理学および天文学(その他)

    フィンガープリント

    「Delta-doped epitaxial La: SrTiO<sub>3</sub> field-effect transistor」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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