Degradation mechanism of dielectric properties of HfO2±x due to interaction of oxygen composition and strain

K. Suzuki, Y. Ito, H. Ito, H. Miura

研究成果: Conference contribution

本文言語English
ホスト出版物のタイトル2007 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications, VLSI-TSA - Proceedings of Technical Papers
DOI
出版ステータスPublished - 2007 9月 26
イベント2007 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications, VLSI-TSA - Hsinchu, Taiwan, Province of China
継続期間: 2007 4月 232007 4月 25

出版物シリーズ

名前International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications, Proceedings

Other

Other2007 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications, VLSI-TSA
国/地域Taiwan, Province of China
CityHsinchu
Period07/4/2307/4/25

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学

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