Cz grown 2-in. size Ce:Gd3(Al,Ga)5O12 single crystal; Relationship between Al, Ga site occupancy and scintillation properties

Kei Kamada, Shunsuke Kurosawa, Petr Prusa, Martin Nikl, Vladimir V. Kochurikhin, Takanori Endo, Kousuke Tsutumi, Hiroki Sato, Yuui Yokota, Kazumasa Sugiyama, Akira Yoshikawa

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抄録

2-in. size Ce 1%:Gd3(Al1- xGax)5O12 (GAGG) single crystals with various Ga concentration of x = 2, 2.4, 2.7 and 3 were grown by the Czochralski (Cz) method. Light yield has maximum value of 58,000 photon/MeV at x = 2.7 Ga concentration. Energy resolution was improved with decreasing Ga concentration and x = 2.4 sample showed best energy resolution of 4.2%@662 keV. The dependence of scintillation properties on crystal structure and Al-Ga was discussed.

本文言語English
ページ(範囲)1942-1945
ページ数4
ジャーナルOptical Materials
36
12
DOI
出版ステータスPublished - 2014 10月

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 原子分子物理学および光学
  • 分光学
  • 物理化学および理論化学
  • 有機化学
  • 無機化学
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Cz grown 2-in. size Ce:Gd3(Al,Ga)5O12 single crystal; Relationship between Al, Ga site occupancy and scintillation properties」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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