Correlation between current-voltage characteristics and dislocations evaluated with submicrometer Schottky contacts on n-GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition

Kenji Shiojima, Tetsuya Suemitsu

研究成果: Article査読

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本文言語English
ページ(範囲)698-705
ページ数8
ジャーナルJournal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures
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DOI
出版ステータスPublished - 2003
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  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学

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