Control of magnetization reversal in ferromagnetic semiconductors by electrical means

Daichi Chiba, Michihiko Yamanouchi, Fumihiro Matsukura, Hideo Ohno

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抄録

A new scheme of magnetization reversal, an electrically assisted magnetization reversal, is realized in a carrier-induced ferromagnetic semiconductor (In, Mn)As structure. The demonstration has been done with field-effect transistors (FETs) having a thin (In, Mn)As channel by the application of a gate electric field to control the hole concentration p.

本文言語English
ジャーナルJournal of Physics Condensed Matter
16
48
DOI
出版ステータスPublished - 2004 12月 8

ASJC Scopus subject areas

  • 凝縮系物理学
  • 電子材料、光学材料、および磁性材料

フィンガープリント

「Control of magnetization reversal in ferromagnetic semiconductors by electrical means」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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