Comparison of leakage behaviors in p - And n -type metal-oxide- semiconductor capacitors with hafnium silicon oxynitride gate dielectric by electron-beam-induced current

Jun Chen, Takashi Sekiguchi, Naoki Fukata, Masami Takase, Toyohiro Chikyo, Kikuo Yamabe, Ryu Hasunuma, Motoyuki Sato, Yasuo Nara, Keisaku Yamada

研究成果: Article査読

4 被引用数 (Scopus)

フィンガープリント

「Comparison of leakage behaviors in p - And n -type metal-oxide- semiconductor capacitors with hafnium silicon oxynitride gate dielectric by electron-beam-induced current」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

Physics & Astronomy