Characterization of > 300 GHz transistors using a novel optoelectronic network analyzer

Nabil Sahri, Tadao Nagatsuma, Taiichi Otsuji, Naofumi Shimizu, Makoto Yaita

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抄録

A novel practical optoelectronic network analyzer with over 300-GHz bandwidth was developed and was successfully used to measure over 100-GHz HEMT S-parameters.

本文言語English
ページ(範囲)194-196
ページ数3
ジャーナルSpringer Series in Chemical Physics
63
出版ステータスPublished - 1998 12 1
外部発表はい

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  • Physical and Theoretical Chemistry

フィンガープリント 「Characterization of > 300 GHz transistors using a novel optoelectronic network analyzer」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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