CHARACTERISATION OF Al/AlInAs/GaInAs HETEROSTRUCTURES.

D. V. Morgan, H. Ohno, C. E.C. Wood, W. J. Schaff, K. Board, L. F. Eastman

研究成果: Article

1 引用 (Scopus)

抜粋

A band model is presented for the metal/semiconductor barrier. The electrical studies are shown to be consistent with this model. Preliminary studies are reported on a DLTS investigation of the heterostructure and a deep level situated 0. 41 ev below the conduction band of the AlInAs.

元の言語English
ページ(範囲)141-143
ページ数3
ジャーナルIEE Proceedings I: Solid State and Electron Devices
128
発行部数4
DOI
出版物ステータスPublished - 1981 1 1
外部発表Yes

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フィンガープリント CHARACTERISATION OF Al/AlInAs/GaInAs HETEROSTRUCTURES.' の研究トピックを掘り下げます。これらはともに一意のフィンガープリントを構成します。

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