Carbon doping effect on strain relaxation during Si1-x-yGe xCy epitaxial growth on Si(100) at 500°C

Hiroaki Nitta, Masao Sakuraba, Junichi Murota

研究成果: Conference contribution

本文言語English
ホスト出版物のタイトルThird International SiGe Technology and Device Meeting, ISTDM 2006 - Conference Digest
出版ステータスPublished - 2006 12月 1
イベントThird International SiGe Technology and Device Meeting, ISTDM 2006 - Princeton, NJ, United States
継続期間: 2006 5月 152006 5月 17

出版物シリーズ

名前Third International SiGe Technology and Device Meeting, ISTDM 2006 - Conference Digest
2006

Other

OtherThird International SiGe Technology and Device Meeting, ISTDM 2006
国/地域United States
CityPrinceton, NJ
Period06/5/1506/5/17

ASJC Scopus subject areas

  • コンピュータ サイエンス(全般)
  • 電子工学および電気工学
  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 原子分子物理学および光学

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